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晶体管
SIHB6N65E-GE3参考图片

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SIHB6N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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库存:3,710(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.2944
122.944
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.2942
4147.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
E
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHB6N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.65
1,000:¥4.4635
3,000:¥4.4635
参考库存:5901
晶体管
MOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥8.6106
10:¥7.0851
100:¥5.4353
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
3,000:¥3.6838
参考库存:8390
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥22.2045
10:¥18.9049
100:¥15.142
500:¥13.221
参考库存:2968
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5260PAPS/HUSON6/REEL 7" Q1
1:¥4.068
10:¥3.3561
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:7896
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
参考库存:5812
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