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晶体管
IRG4PC40UD-EPBF参考图片

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IRG4PC40UD-EPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
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数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥40.115
401.15
100
¥34.804
3480.4
250
¥33.0412
8260.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.72 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001544784
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRG4PC40UD-EPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM60NB600CH C5G
Taiwan Semiconductor
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MOSFET 600V, 7A, 0,6OHMS N channel Mosfet
15,000:¥4.3844
参考库存:27396
PH3135-20M
MACOM
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射频(RF)双极晶体管
10:¥1,350.3839
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2N5322
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1:¥22.5096
10:¥20.1366
100:¥18.3625
250:¥16.5206
参考库存:1908
IPB60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9269
1,000:¥5.4692
参考库存:27404
PTFB092707FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥848.0085
参考库存:27407
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