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晶体管
VNB20N07-E参考图片

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VNB20N07-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 70V 20A OmniFET
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库存:5,428(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥18.2834
182.834
100
¥15.8313
1583.13
250
¥15.0629
3765.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Qg-栅极电荷
60 nC
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
VNB20N07
晶体管类型
1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET
类型
Low Side
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
150 ns, 3.5 us
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
240 ns, 1.5 us
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
430 ns, 6 us
典型接通延迟时间
90 ns, 800 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,VNB20N07-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.3845
参考库存:3611
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥35.1204
10:¥29.8885
100:¥25.8996
250:¥24.5888
参考库存:3346
晶体管
MOSFET Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥9.7632
10:¥8.6106
100:¥6.8252
500:¥5.2884
1,000:¥4.1697
3,000:¥3.7855
参考库存:7971
晶体管
MOSFET PMV100ENEA/TO-236AB/REEL 7" Q3
1:¥3.1527
10:¥2.4521
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:16454
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥65.7773
10:¥59.4719
25:¥56.7034
100:¥49.1776
250:¥47.0306
参考库存:3451
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