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晶体管

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DDB6U30N08VR

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库存:2,075(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥136.0859
136.0859
10
¥125.1701
1251.701
25
¥119.9495
2998.7375
100
¥105.7341
10573.41
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
26 A
封装 / 箱体
EASY750
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
35.6 mm
宽度
25.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
40
子类别
IGBTs
零件号别名
DDB6U30N08VRBOMA1 SP000100308
单位重量
10 g
商品其它信息
优势价格,DDB6U30N08VR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -8V Vds 8V Vgs SO-8 N&P PAIR
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
2,500:¥2.4634
参考库存:5906
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
500:¥16.1364
参考库存:2386
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 30V 5A
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,000:¥1.6724
参考库存:4403
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
1:¥9.2999
10:¥7.458
100:¥5.763
500:¥5.0737
2,000:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:3450
晶体管
MOSFET Dual P-Channel MOSFET
1:¥4.9946
10:¥4.9833
25:¥4.1923
100:¥3.7968
3,000:¥3.7968
参考库存:3840
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