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晶体管
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TGF2018

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
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数量单价合计
100
¥44.7932
4479.32
300
¥41.8778
12563.34
500
¥39.1093
19554.65
1,000
¥36.5781
36578.1
2,500
¥36.4199
91049.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
14 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
58 mA
最大漏极/栅极电压
12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
640 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
70 mS
NF—噪声系数
1 dB
P1dB - 压缩点
22 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098412
商品其它信息
优势价格，TGF2018的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRC5144E0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:42452
2N3838
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥426.1569
2:¥414.6309
5:¥403.1049
10:¥391.5789
参考库存:42455
RJH60M2DPP-M0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥21.7412
10:¥19.436
25:¥17.515
50:¥16.7466
参考库存:42458
NVMFS5C442NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1,500:¥3.2205
9,000:¥3.1075
24,000:¥3.0058
参考库存:42461
2SA1774EBTLP
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin EMT3F T/R
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:42464
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