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晶体管
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TGF2018

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
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数量单价合计
100
¥44.7932
4479.32
300
¥41.8778
12563.34
500
¥39.1093
19554.65
1,000
¥36.5781
36578.1
2,500
¥36.4199
91049.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
14 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
58 mA
最大漏极/栅极电压
12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
640 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
70 mS
NF—噪声系数
1 dB
P1dB - 压缩点
22 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098412
商品其它信息
优势价格,TGF2018的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 47KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:4230
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
1,500:¥7.3337
4,500:查看
参考库存:6896
晶体管
MOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥8.6784
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
参考库存:3305
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET, SOP-8 package
4,000:¥1.6498
8,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
48,000:¥1.2882
参考库存:39937
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.3111
参考库存:1634
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