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晶体管
2SC6096-TD-H参考图片

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2SC6096-TD-H

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 100V
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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8533
38.533
100
¥2.3391
233.91
1,000
¥1.808
1808
2,000
¥1.5481
3096.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6.5 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC6096
直流电流增益 hFE 最大值
600
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
Pd-功率耗散
3.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格,2SC6096-TD-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V 18Amp P channel Power Mosfet
2,500:¥1.6498
5,000:¥1.6498
10,000:¥1.5933
25,000:¥1.5481
参考库存:43113
晶体管
MOSFET 150V, 21A, 82 mOhm Automotive MOSFET
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
800:¥9.379
参考库存:43116
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
1:¥1,627.3921
5:¥1,588.2828
10:¥1,548.7893
25:¥1,527.1159
参考库存:43119
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.86106
1,000:¥0.59212
4,000:¥0.44522
参考库存:43122
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital Transistor
1:¥1.5368
10:¥1.04525
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:43125
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