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晶体管
BSC120N03LSGATMA1参考图片

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BSC120N03LSGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:5,890(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.3391
233.91
1,000
¥1.8758
1875.8
5,000
¥1.8758
9379
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
39 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
2.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
2.7 ns
零件号别名
BSC120N03LS BSC12N3LSGXT G SP000302848
单位重量
242 mg
商品其它信息
优势价格,BSC120N03LSGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
1:¥5.8421
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥2.1244
参考库存:77445
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
1:¥45.878
10:¥39.0302
100:¥33.8096
250:¥32.0468
1,000:¥24.2837
2,000:查看
参考库存:4687
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥31.0411
10:¥26.3516
100:¥22.826
250:¥21.6734
1,000:¥16.3624
2,000:查看
参考库存:4516
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
1:¥3.0736
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:581416
晶体管
MOSFET 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC
1:¥47.6408
10:¥43.1095
25:¥41.1094
100:¥35.6515
参考库存:3473
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