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晶体管
CSD17483F4T参考图片

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CSD17483F4T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.6894
26.894
100
¥0.99892
99.892
250
¥0.99892
249.73
1,000
¥0.7684
768.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
850 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.01 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD17483F4
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
2.4 S
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.3 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.6 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17483F4T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 22 mo FET
1:¥6.6896
10:¥5.7404
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0736
1,500:¥3.0736
参考库存:4861
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:2859
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.7685
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:4531
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
1:¥6.4523
10:¥5.537
100:¥4.2601
500:¥3.7629
1,000:¥2.9719
3,000:¥2.825
参考库存:2096
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 0.47K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:18455
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