您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
NTLJD3119CTBG参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

NTLJD3119CTBG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:9,665(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.5312
253.12
1,000
¥2.0227
2022.7
3,000
¥1.7063
5118.9
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDFN-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
21 V, 20 V
Id-连续漏极电流
3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
710 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTLJD3119C
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
2 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
4.2 S, 3.1 S
下降时间
4.7 ns, 13.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.7 ns, 13.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.1 ns, 13.7 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns, 5.2 ns
商品其它信息
优势价格,NTLJD3119CTBG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
1:¥812.0406
5:¥796.2884
10:¥770.0159
25:¥737.438
50:¥727.2906
参考库存:2958
晶体管
MOSFET 250V 6Ohm
1:¥5.0737
10:¥5.0624
25:¥4.2714
100:¥3.8759
2,000:¥3.8759
参考库存:14710
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
1:¥3,903.472
25:¥3,597.4228
参考库存:2828
晶体管
MOSFET 4V Drive Pch+Pc Si MOSFET
1:¥4.068
10:¥3.3674
100:¥2.0566
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:4875
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9495
2,500:¥4.859
10,000:查看
参考库存:19626
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们