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晶体管
BSL215CH6327XTSA1参考图片

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BSL215CH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6499
36.499
100
¥2.2261
222.61
1,000
¥1.7176
1717.6
3,000
¥1.469
4407
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms, 150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV, 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
0.73 nC, - 3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
1.4 ns, 14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns, 9.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.8 ns, 14.5 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns, 6.7 ns
零件号别名
BSL215C H6327 SP001101000
商品其它信息
优势价格，BSL215CH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IFN363
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -40V JFET -0.3 1.0V Igss 1.0V Idss
71:¥101.2028
100:¥93.1346
250:¥84.9082
500:¥79.3712
参考库存:28628
NVMFS5C406NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
1,500:¥9.9101
4,500:¥9.5259
9,000:¥9.1417
参考库存:28631
APTGLQ40HR120CT3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥570.537
5:¥552.7056
10:¥535.959
25:¥511.7544
参考库存:28634
STWA68N60M6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥74.9981
10:¥67.7774
25:¥64.6247
100:¥56.0932
参考库存:2410
RDD020N60TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET MOSFET
2,500:¥3.9889
10,000:¥3.842
参考库存:28639
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