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晶体管
BSS606NH6327XTSA1参考图片

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BSS606NH6327XTSA1

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库存：12,948(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥3.2318
32.318
100
¥1.9775
197.75
1,000
¥1.5255
1525.5
2,000
¥1.2995
2599
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
系列
BSS606
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
2.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
5.6 ns
零件号别名
BSS606N H6327 SP000691152
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格，BSS606NH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMBFJ308,215
NXP Semiconductors
晶体管
JFET TAPE7 FET-RFSS
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1752
3,000:¥0.99892
参考库存:3732
TK56A12N1,S4X
Toshiba
晶体管
MOSFET MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
1:¥16.1364
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.1417
参考库存:3149
2N4920
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
1:¥11.6842
10:¥9.5259
100:¥7.9891
500:¥6.1246
参考库存:3108
FP75R06KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥865.5235
5:¥849.6244
10:¥811.4304
25:¥784.3782
参考库存:3031
DDTA124GUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:6026
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