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晶体管
DMN2005DLP4K-7参考图片

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DMN2005DLP4K-7

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库存:6,445(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
3,000
¥0.95259
2857.77
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN1310-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1.3 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN2005
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,DMN2005DLP4K-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥14.5205
250:¥14.5205
500:¥12.6786
参考库存:3653
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER EASY
1:¥289.6077
5:¥283.1554
10:¥270.2508
25:¥258.9508
参考库存:2982
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥75.6874
10:¥68.1616
25:¥62.0822
100:¥56.0141
参考库存:3440
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:22596
晶体管
MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥5.763
10:¥4.5765
100:¥3.4691
500:¥2.8702
1,000:¥2.2939
3,000:¥2.0792
参考库存:8761
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