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晶体管
BFR 181W H6327参考图片

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BFR 181W H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.5312
2.5312
10
¥1.8871
18.871
100
¥0.70738
70.738
1,000
¥0.54579
545.79
3,000
¥0.46104
1383.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR181
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
20 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
175 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR181WH6327XT BFR181WH6327XTSA1 SP000750418
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 181W H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:7974
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
10,000:¥0.46104
20,000:查看
参考库存:13601
晶体管
JFET N-Ch -25V JFET 10mA 300mW 10mA 1.7mW
1:¥90.1288
10:¥73.9246
100:¥61.3138
500:¥55.935
参考库存:3807
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V Transistor
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.5764
参考库存:25465
晶体管
MOSFET 400V N-Channel Depletion-Mode FET
1:¥8.3733
10:¥7.3224
25:¥6.4749
50:¥6.2715
1,000:¥3.2544
2,000:查看
参考库存:4751
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