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晶体管
A2T18S262W12NR3参考图片

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A2T18S262W12NR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S262W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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库存:21,829(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥625.6358
625.6358
5
¥614.1098
3070.549
10
¥586.5152
5865.152
25
¥566.921
14173.025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
19.3 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-880X-2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935346497528
单位重量
3.790 g
商品其它信息
优势价格,A2T18S262W12NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
4,800:¥4.0454
9,600:查看
参考库存:6613
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:18853
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 47A 10mOhm 65.3nC LogLvl
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6614
参考库存:3841
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥9.2208
10:¥7.8422
100:¥6.0681
500:¥5.3675
参考库存:2852
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg
1:¥50.172
10:¥45.3356
25:¥43.2564
100:¥37.5725
参考库存:2968
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