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晶体管
STW40N65M2参考图片

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STW40N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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数量单价合计
1
¥38.1149
38.1149
10
¥32.431
324.31
100
¥28.0466
2804.66
250
¥26.668
6667
500
¥23.8995
11949.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
87 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
56.5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW40N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96.5 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW40N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT8 N 30/20 SYNCFET
1:¥4.6895
10:¥3.8985
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5707
参考库存:7751
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200W PNP
1:¥30.4309
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:3656
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1A 50V
1:¥3.1527
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
2,000:¥1.06785
参考库存:8769
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.1419
500:¥11.4469
800:¥9.5259
参考库存:4588
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥13.3679
10:¥11.1418
100:¥8.6106
参考库存:4074
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