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晶体管
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STB25NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
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数量单价合计
1
¥53.7089
53.7089
10
¥48.5674
485.674
25
¥46.2622
1156.555
100
¥40.1828
4018.28
1,000
¥30.51
30510
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB25NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
60 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB25NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T21H140-24SR3
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥399.4098
5:¥390.4263
10:¥375.2052
25:¥363.1481
参考库存:31180
IPB107N20NAATMA1
Infineon Technologies
晶体管
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1,000:¥32.1937
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参考库存:31183
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100:¥801.3621
参考库存:31186
VS-GT200TP065N
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晶体管
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24:¥748.3425
48:¥723.3695
72:¥713.4594
参考库存:31189
PXAC261002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:31192
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