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晶体管
NTLJD3115PT1G参考图片

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NTLJD3115PT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
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库存：9,570(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.5143
35.143
100
¥2.147
214.7
1,000
¥1.6611
1661.1
3,000
¥1.4125
4237.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDFN-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
106 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTLJD3115P
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
2 mm
商标
ON Semiconductor
下降时间
13.2 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.2 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.7 ns, 19.8 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns, 5.5 ns
单位重量
8.800 mg
商品其它信息
优势价格，NTLJD3115PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFP17N50LPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥55.709
10:¥50.172
25:¥45.7198
100:¥41.2676
参考库存:3370
TK31E60X,S1X
Toshiba
晶体管
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
1:¥39.9568
10:¥32.1146
100:¥29.2783
250:¥26.4307
参考库存:4250
NTR5198NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:45680
MJD112RLG
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
1,800:¥1.4577
参考库存:16547
2N4236
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Ampl/Switch
1:¥24.2837
10:¥21.6734
100:¥19.7524
250:¥17.8314
参考库存:3309
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