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晶体管
NTLJD3115PT1G参考图片

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NTLJD3115PT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
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库存:9,570(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.5143
35.143
100
¥2.147
214.7
1,000
¥1.6611
1661.1
3,000
¥1.4125
4237.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDFN-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
106 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTLJD3115P
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
2 mm
商标
ON Semiconductor
下降时间
13.2 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.2 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.7 ns, 19.8 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns, 5.5 ns
单位重量
8.800 mg
商品其它信息
优势价格,NTLJD3115PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M
1:¥3.3787
10:¥2.8589
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:3887
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥0.92208
10:¥0.80682
100:¥0.28476
1,000:¥0.1921
3,000:¥0.14577
参考库存:25314
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Current
1:¥8.0682
10:¥6.9043
100:¥5.311
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:4043
晶体管
MOSFET 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,000:¥1.11418
参考库存:2888
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
1:¥7.684
10:¥6.6105
100:¥5.085
500:¥4.4974
1,500:¥3.1414
9,000:查看
参考库存:2161
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