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晶体管
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2SCR523EBTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN General Purpose Amplification Transistor
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库存：15,565(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.8645
18.645
100
¥0.78422
78.422
1,000
¥0.52997
529.97
3,000
¥0.41471
1244.13
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
EMT-3F-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.1 V
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
350 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SCR523EB
直流电流增益 hFE 最大值
560 at 1 mA, 6 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
2SCR523EB
商品其它信息
优势价格，2SCR523EBTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STH52N10LF3-2AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 15 mOhm typ., 52 A STripFET F3 Power MOSFET in an H2PAK-2 package
1,000:¥6.6896
2,000:¥6.2263
5,000:¥6.0003
10,000:¥5.763
参考库存:32490
SQD23N06-31L_T4GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252
2,500:¥2.8363
5,000:¥2.7007
10,000:¥2.5877
25,000:¥2.5086
参考库存:32493
SI3973DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
3,000:¥2.6894
6,000:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3843
参考库存:32496
2731GN-200M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥4,744.5649
参考库存:32499
SIHP6N65E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥16.6788
10:¥13.8312
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:32502
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