您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FDP7N50参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FDP7N50

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:4,900(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9892
9.9892
10
¥8.5315
85.315
100
¥6.5879
658.79
500
¥5.8195
2909.75
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP7N50
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP7N50的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
1:¥269.9344
5:¥267.0981
10:¥248.9616
25:¥237.8198
参考库存:2059
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.0932
25:¥53.4829
100:¥46.4091
参考库存:1068
晶体管
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
1:¥8.5315
10:¥6.8252
100:¥5.2432
500:¥4.633
5,000:¥3.2431
10,000:查看
参考库存:2222
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,009.592
30:¥1,937.1364
参考库存:31681
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
1:¥921.0856
5:¥902.9491
10:¥860.834
25:¥842.7766
参考库存:1043
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们