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晶体管
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BD436STU

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库存:5,990(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.9323
1932.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
集电极—基极电压 VCBO
- 32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD436
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
36 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
BD436STU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,BD436STU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:6205
晶体管
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥8.0682
500:¥7.0625
2,000:¥5.4466
4,000:查看
参考库存:6576
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥35.2673
10:¥29.9676
100:¥25.9674
250:¥24.6679
500:¥22.1254
参考库存:4622
晶体管
MOSFET Nch 250V 4A TO-252 (DPAK)
1:¥8.2942
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
2,500:¥4.7912
参考库存:6799
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
1:¥7.1416
10:¥5.6952
100:¥4.3166
500:¥3.5708
1,000:¥2.8589
3,000:¥2.5877
参考库存:7291
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