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晶体管
IRLR120NTRPBF参考图片

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IRLR120NTRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
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库存:8,237(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.537
55.37
100
¥4.2601
426.01
500
¥3.7629
1881.45
1,000
¥2.9719
2971.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
13.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
SP001574026
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRLR120NTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
参考库存:21741
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 30V 80A 3.2mOhm SGL N-CH
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
1,500:¥2.2939
参考库存:5071
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A
1:¥3.2318
10:¥1.8419
100:¥0.84524
1,000:¥0.61472
4,000:¥0.46104
24,000:¥0.3842
参考库存:7740
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 LN XSTR PNP 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:11211
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 9A 1.9W 690pF
1:¥5.763
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
2,500:¥1.921
参考库存:4781
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