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晶体管
IRFH8202TRPBF参考图片

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IRFH8202TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
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库存:6,827(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8478
3423.9
1,000
¥5.6726
5672.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.05 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.35 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
52 nC
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
181 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
SP001572718
商品其它信息
优势价格,IRFH8202TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:6831
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
1,000:¥7.3789
参考库存:5418
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.3 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:4634
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥54.5564
10:¥49.3358
25:¥47.0306
100:¥40.8834
参考库存:4942
晶体管
MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥16.2946
250:¥15.4471
500:¥13.8312
参考库存:5030
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