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晶体管
VND7N04TR-E参考图片

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VND7N04TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET
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数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.9101
99.101
100
¥7.91
791
500
¥6.9495
3474.75
2,500
¥5.3675
13418.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
42 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Pd-功率耗散
60 W
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
VND7N04
类型
Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
5 S
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,VND7N04TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,646.297
5:¥1,609.572
10:¥1,576.5986
25:¥1,553.3206
参考库存:21753
晶体管
达林顿晶体管 30V 300mW
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:14943
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4
1:¥607.262
5:¥589.5888
10:¥576.9893
25:¥552.7056
250:¥490.081
参考库存:21758
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:9429
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥1,451.4285
2:¥1,427.2239
5:¥1,403.7877
10:¥1,381.1199
25:¥1,331.3321
参考库存:21763
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