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晶体管
IPB065N15N3GATMA1参考图片

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IPB065N15N3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3
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库存:4,501(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.7198
45.7198
10
¥41.3354
413.354
25
¥39.4144
985.36
100
¥34.1938
3419.38
1,000
¥25.9674
25967.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
130 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
93 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
G IPB065N15N3 IPB65N15N3GXT SP000521724
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB065N15N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
1:¥42.488
10:¥36.1148
100:¥31.2784
250:¥29.7416
500:¥26.668
参考库存:6563
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
1,000:¥4.1132
2,000:¥4.1132
参考库存:6221
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC
1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,000:¥3.8985
4,000:¥3.8985
参考库存:12990
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
800:¥8.3733
参考库存:7854
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥8.2942
10:¥7.1303
100:¥5.4805
500:¥4.8364
2,000:¥3.39
10,000:查看
参考库存:15415
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