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晶体管
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US6K2TR

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库存:7,151(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9776
39.776
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.8758
1875.8
3,000
¥1.5933
4779.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.77 mm
长度
2 mm
系列
US6K2
晶体管类型
2 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.7 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
US6K2
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,US6K2TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 700V, 3A
1:¥8.5315
10:¥7.6049
100:¥5.989
500:¥4.6443
2,500:¥3.3222
5,000:查看
参考库存:28057
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
暂无价格
参考库存:28060
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack
80:¥724.1379
参考库存:28063
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
3,000:¥6.667
6,000:¥6.4184
9,000:¥6.1698
参考库存:28066
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 225A
4:¥3,503.7458
8:¥3,292.594
参考库存:28069
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