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晶体管

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APTGT30H60T1G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:2,159(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥360.6847
360.6847
5
¥349.7802
1748.901
10
¥339.5537
3395.537
25
¥318.3436
7958.59
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
90 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格,APTGT30H60T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR120PBF
1:¥24.3628
10:¥20.2044
100:¥16.5997
250:¥16.1364
参考库存:43033
晶体管
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.4525
500:¥9.1417
参考库存:43036
晶体管
MOSFET POWER MOSFET SERIES
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8591
参考库存:43039
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET N/PCH 30V 3.5A/3A 8PIN
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.0397
1,000:¥2.4408
3,000:¥2.0566
参考库存:43042
晶体管
MOSFET 600V 30mA N-Channel Depletion Mode
1:¥4.5313
10:¥3.616
100:¥2.4521
500:¥1.6837
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:15192
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