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晶体管
STP6N65M2参考图片

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STP6N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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库存:3,017(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.5315
853.15
500
¥7.4354
3717.7
1,000
¥6.1585
6158.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.35 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
9.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STP6N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.5 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP6N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Hi Vltg NPN Zener SuperMESH
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.6787
2,500:¥10.5316
5,000:查看
参考库存:4272
晶体管
MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
2,500:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:7818
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 69A CanPAK-2 SQ OptiMOS
1:¥7.0738
10:¥6.0568
100:¥4.6443
500:¥4.1132
5,000:¥2.8815
10,000:查看
参考库存:6545
晶体管
MOSFET 8V Vds 5V Vgs SOT-23
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
3,000:¥1.3108
6,000:查看
参考库存:7552
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥133.5434
10:¥122.7858
25:¥117.7234
100:¥103.6549
参考库存:1699
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