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晶体管
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FDME510PZT

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库存:7,745(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.0454
40.454
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0905
2090.5
5,000
¥1.7628
8814
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UMLP-6
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
31 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
16 nC
Pd-功率耗散
1.4 W
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
FDME510PZT
宽度
1.6 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
54 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
93 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FDME510PZT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 150V 12.4 MOHM PQFN56
1:¥29.6625
10:¥25.199
100:¥21.8203
250:¥20.7468
3,000:¥14.9047
6,000:查看
参考库存:9663
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC59 HV XSTR PNP 300V
1:¥3.6838
10:¥2.5877
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:7443
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥860.608
2:¥833.8722
5:¥833.6349
10:¥806.7409
参考库存:1480
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
2,500:¥1.01474
参考库存:2813
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥151.8381
5:¥145.9169
10:¥140.3912
25:¥129.0121
参考库存:1499
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