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晶体管
FMBM5401参考图片

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FMBM5401

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSOT6 PNP General Purpose Amplifier
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.3956
23.956
100
¥1.2995
129.95
1,000
¥0.97632
976.32
3,000
¥0.84524
2535.72
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SuperSOT-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
150 V
集电极—基极电压 VCBO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FMBM5401
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
FMBM5401_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格，FMBM5401的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM6N17FU(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
MOSFET 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
1:¥4.9155
10:¥3.5143
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.76049
参考库存:23222
BCW71,215
Nexperia
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1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
参考库存:11612
PSMN2R6-60PSQ
Nexperia
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET
1:¥19.9784
10:¥16.9839
100:¥13.6052
500:¥11.9102
参考库存:7614
MRF157
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥3,957.26
10:¥3,780.528
参考库存:23229
NPTB00025B
MACOM
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT
1:¥1,323.2639
2:¥1,286.6067
5:¥1,257.1815
10:¥1,220.4452
参考库存:23232
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