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晶体管
SQ7414CENW-T1_GE3参考图片

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SQ7414CENW-T1_GE3

  • Vishay
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.6048
56.048
100
¥4.3053
430.53
500
¥3.7064
1853.2
1,000
¥2.9154
2915.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
62 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
优势价格，SQ7414CENW-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS800R07A2E3_B31
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK 2
1:¥5,202.9155
5:¥5,119.7701
参考库存:3530
DMN61D9UDW-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2Ohms
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:9489
STD17NF03L-1
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch, 30V-0.038ohms 17A
1:¥6.9156
10:¥5.876
100:¥4.5087
500:¥3.9889
参考库存:6404
BSP171PH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:17985
FDMS9409-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 40V 65A N-Chnl Power Trench MOSFET
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.6049
500:¥6.78
1,000:¥5.3562
3,000:¥4.746
参考库存:5997
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