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APTGT50TDU170PG

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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100
¥1,147.9896
114798.96
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Triple Dual Common Source
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.7 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
310 W
封装 / 箱体
SP6-P
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGT50TDU170PG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5005
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥1,157.5946
2:¥1,134.8477
5:¥1,097.0492
10:¥1,077.2968
参考库存:40389
JAN2N2920U
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥447.593
5:¥428.7672
10:¥421.2414
25:¥394.8785
参考库存:40392
MPSA13/KSP13
Rectron
晶体管
达林顿晶体管 TO92,NPN,0.5A,30V Darlington
6,000:¥0.45313
10,000:¥0.40002
参考库存:40395
2N5011
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥80.3769
250:¥73.3822
500:¥68.6927
1,000:¥61.3138
参考库存:40398
RM4N700LD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥3.1527
5,000:¥2.8702
10,000:¥2.6216
25,000:¥2.5764
参考库存:40401
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