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晶体管
BF 888 H6327参考图片

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BF 888 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3222
33.222
100
¥2.0227
202.27
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
4000.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BF888
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
250
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
13 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Bipolar Power
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BF888H6327XT BF888H6327XTSA1 SP000745170
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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