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晶体管
BF 888 H6327参考图片

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BF 888 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3222
33.222
100
¥2.0227
202.27
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BF888
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
250
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
13 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Bipolar Power
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BF888H6327XT BF888H6327XTSA1 SP000745170
商品其它信息
优势价格,BF 888 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥55.709
10:¥50.172
25:¥45.7198
100:¥41.2676
参考库存:3370
晶体管
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
1:¥39.9568
10:¥32.1146
100:¥29.2783
250:¥26.4307
参考库存:4250
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:45680
晶体管
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
1,800:¥1.4577
参考库存:16547
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Ampl/Switch
1:¥24.2837
10:¥21.6734
100:¥19.7524
250:¥17.8314
参考库存:3309
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