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晶体管
PD55008TR-E参考图片

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PD55008TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:17,018(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥120.7179
120.7179
10
¥110.9547
1109.547
25
¥106.3443
2658.6075
100
¥93.7448
9374.48
600
¥83.3714
50022.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55008-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55008TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 650V HEXFET MOSFET
1:¥22.0576
10:¥18.2834
100:¥15.0629
250:¥14.5996
500:¥13.0628
参考库存:2461
晶体管
MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET
1:¥19.436
10:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.526
800:¥9.5259
2,400:¥9.4468
参考库存:1911
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
800:¥5.311
参考库存:5434
晶体管
MOSFET 250V N-Chan MOSFET
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:3370
晶体管
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
1:¥6.4523
10:¥5.311
100:¥3.4239
1,000:¥2.7459
1,500:¥2.7459
参考库存:5562
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