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DMN5010VAK-7

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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.5199
25.199
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.76049
2281.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
280 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.6 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN50
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格，DMN5010VAK-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C426NWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥6.3732
10,000:¥6.1359
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PTVA035002EV-V1-R250
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参考库存:27646
NVMFS5C450NLWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
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5,000:¥2.8928
10,000:¥2.7798
25,000:¥2.7007
参考库存:27649
PXAD214218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
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APTGT300A120D3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,266.8656
参考库存:27655
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