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晶体管
IRFR18N15DTRRP参考图片

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IRFR18N15DTRRP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 125mOhms 28nC
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库存:30,839(价格仅供参考)
数量单价合计
6,000
¥4.3279
25967.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
零件号别名
SP001566908
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFR18N15DTRRP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.65mOhm 100A
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
参考库存:4357
晶体管
MOSFET N+P 30 20V 1A
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6498
参考库存:5297
晶体管
MOSFET MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
1:¥2.9945
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:15234
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
1,000:¥5.3675
2,500:¥5.1189
参考库存:6195
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1019N/PLD4L///REEL 7
1:¥586.8994
5:¥569.7686
10:¥557.5533
25:¥534.1962
参考库存:2667
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