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晶体管
PTVA102001EA-V1-R2参考图片

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PTVA102001EA-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:30,871(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,046.8659
261716.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
增益
18.5 dB
输出功率
200 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Reel
工作频率
960 MHz to 1600 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTVA102001EA-V1-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:58266
晶体管
MOSFET -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.9046
10:¥10.7576
100:¥8.2942
500:¥7.2659
3,000:¥7.2659
参考库存:7334
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥49.0194
10:¥41.6518
100:¥36.1148
250:¥34.2729
1,000:¥25.8996
2,000:查看
参考库存:5779
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥33.8887
10:¥28.815
100:¥24.973
250:¥23.6622
参考库存:4398
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥92.9764
10:¥85.5184
25:¥81.9928
100:¥72.2296
参考库存:3448
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