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晶体管
SI7463DP-T1-GE3参考图片

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SI7463DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
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库存:9,168(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥18.8258
188.258
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.7577
6378.85
1,000
¥10.5316
10531.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
18.6 A
Rds On-漏源导通电阻
9.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
121 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
SI7463DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI7463DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
1,000:¥10.5316
2,000:¥9.831
5,000:¥9.4468
10,000:¥9.0626
参考库存:34961
晶体管
MOSFET N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
1:¥35.6515
10:¥30.2727
100:¥26.2838
250:¥24.8939
参考库存:2793
晶体管
MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIE
1:¥3.616
10:¥2.7459
100:¥1.4916
1,000:¥1.11418
3,000:¥0.9605
参考库存:8793
晶体管
MOSFET 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.5764
参考库存:15195
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
15,000:¥0.5763
45,000:查看
参考库存:47797
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