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晶体管

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APTGL90DDA120T3G

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数量单价合计
100
¥456.1245
45612.45
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
110 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
385 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGL90DDA120T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.1472
10:¥4.9607
100:¥3.7742
500:¥3.1075
3,000:¥2.26
6,000:查看
参考库存:9017
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -50V Vceo -2A Ic MPT3
1:¥3.2996
10:¥2.6894
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
2,000:¥1.08367
参考库存:11005
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:7821
晶体管
MOSFET
1:¥48.7934
10:¥41.4936
100:¥35.9566
250:¥34.1147
2,000:¥24.5097
参考库存:5023
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 5.0/20 mA 30mS 15pF
1:¥99.3496
10:¥83.5296
100:¥76.84
250:¥70.0826
参考库存:3091
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