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晶体管

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NSBA114YDP6T5G

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 预偏置 SOT-963 DUAL PBRT
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库存：10,087(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
2,500
¥0.71416
1785.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Dual
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
10 kOhms
典型电阻器比率
0.21
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-963-6
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSBA114YDP6
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80
高度
0.37 mm
长度
1 mm
宽度
0.8 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，NSBA114YDP6T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7374DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
3,000:¥14.5205
参考库存:30600
IF1320-TR
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel Reel of 1000
1:¥29.9676
10:¥24.1255
100:¥19.7524
500:¥17.7523
1,000:¥14.9838
参考库存:30603
SIHF16N50C-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1,000:¥24.8939
3,000:¥23.6622
参考库存:30606
IPD100N04S4L02ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
2,500:¥7.91
5,000:¥7.684
10,000:¥7.3789
参考库存:30609
QPD2194SR
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:30612
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