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晶体管
RJH65D27BDPQ-A0#T2参考图片

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RJH65D27BDPQ-A0#T2

  • Renesas Electronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT - 650V/50A/TO-247A
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库存:32,783(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.7827
60.7827
10
¥54.6355
546.355
25
¥49.7878
1244.695
50
¥46.1831
2309.155
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247A-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RJH65D27BDPQ
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Renesas Electronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 1 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,RJH65D27BDPQ-A0#T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET, SOT-723 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
32,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:34268
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:34792
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 500 45V
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:159361
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 200W PNP
1:¥36.5781
10:¥31.1202
100:¥26.9731
250:¥25.5832
参考库存:3544
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
250:¥315.044
参考库存:2515
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