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晶体管
RJH65D27BDPQ-A0#T2参考图片

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RJH65D27BDPQ-A0#T2

  • Renesas Electronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT - 650V/50A/TO-247A
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数量单价合计
1
¥60.7827
60.7827
10
¥54.6355
546.355
25
¥49.7878
1244.695
50
¥46.1831
2309.155
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247A-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RJH65D27BDPQ
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Renesas Electronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 1 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,RJH65D27BDPQ-A0#T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
4,000:¥4.1923
8,000:查看
参考库存:1788
晶体管
MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.6724
参考库存:1389
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥20.2835
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
3,000:¥9.9892
参考库存:7127
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥6.3732
10:¥5.2771
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.7233
参考库存:3904
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥4.3844
10:¥2.9154
100:¥1.808
500:¥1.6159
3,000:¥1.01474
9,000:查看
参考库存:4131
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