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晶体管
MRFE8VP8600HSR5参考图片

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MRFE8VP8600HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
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数量单价合计
1
¥1,163.1316
1163.1316
5
¥1,140.3056
5701.528
10
¥1,087.1278
10871.278
25
¥1,064.3131
26607.8275
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 115 V
增益
21 dB
输出功率
140 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
470 MHz to 860 MHz
系列
MRFE8VP8600H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.25 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935345546178
单位重量
13.264 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N4449
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥131.8597
250:¥120.2546
500:¥112.4915
参考库存:38357
JANTXV2N3810U/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥378.3579
250:¥357.2269
参考库存:38360
RMP4N70LD-T
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2,500:¥1.8871
5,000:¥1.7176
10,000:¥1.5707
25,000:¥1.5368
参考库存:38363
JANTX2N2906A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥189.6366
250:¥174.0426
500:¥165.6693
参考库存:38366
RM80N60LD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥2.5312
5,000:¥2.3165
10,000:¥2.1131
25,000:¥2.0792
参考库存:38369
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