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晶体管
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KSD1691GSTU

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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.7968
37.968
100
¥2.3165
231.65
1,000
¥1.7854
1785.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSD1691
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 2 A, 1 V
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 2 A, 1 V
Pd-功率耗散
1300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,KSD1691GSTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-6 package
1:¥38.646
10:¥32.8152
100:¥28.4308
250:¥26.9731
1,000:¥20.4417
2,000:查看
参考库存:5197
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:63707
晶体管
MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
1:¥19.5942
10:¥16.6788
100:¥13.2888
500:¥11.6842
3,000:¥8.9948
6,000:查看
参考库存:8712
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DGTL PNP 50V 50MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
8,000:¥0.32996
24,000:查看
参考库存:11781
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.7913
参考库存:7177
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