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晶体管
HS8K11TB参考图片

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HS8K11TB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7459
27.459
100
¥1.6724
167.24
1,000
¥1.2995
1299.5
3,000
¥1.10627
3318.81
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSML3030L-10
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7 A, 11 A
Rds On-漏源导通电阻
12.8 mOhms, 10.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 12 V
Qg-栅极电荷
11.1 nC, 20.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
5.1 ns, 7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.8 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.8 ns, 47.3 ns
典型接通延迟时间
9.4 ns, 13.6 ns
零件号别名
HS8K11
商品其它信息
优势价格，HS8K11TB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTCV40H60CT1G
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100:¥474.0237
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15,000:¥4.7121
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10:¥5.8082
100:¥4.4635
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10,000:查看
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APTGT400A120D3G
Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,615.4819
参考库存:29381
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