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晶体管
IKW40T120参考图片

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IKW40T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
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库存:3,640(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥71.4612
71.4612
10
¥64.6247
646.247
25
¥61.5511
1538.7775
100
¥53.4829
5348.29
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40T120FKSA1 IKW4T12XK SP000013940
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW40T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:3716
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
1:¥28.589
10:¥24.2837
100:¥21.0519
250:¥19.9784
500:¥17.8992
参考库存:5307
晶体管
MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0851
参考库存:4574
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:4675
晶体管
MOSFET 150V N-Channel QFET Trench
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
500:¥14.6787
800:¥14.6787
参考库存:8774
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