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晶体管
IKW40T120参考图片

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IKW40T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
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库存:3,640(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥71.4612
71.4612
10
¥64.6247
646.247
25
¥61.5511
1538.7775
100
¥53.4829
5348.29
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40T120FKSA1 IKW4T12XK SP000013940
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW40T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.7065
1,000:¥4.4974
2,500:¥3.9889
参考库存:5578
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:8830
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
参考库存:3536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 60V NPN/PNP
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
3,000:¥2.1809
参考库存:5814
晶体管
MOSFET N-CH 80V 12.9 mOhm Standard MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
1,500:¥2.825
参考库存:5986
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