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晶体管
IKW40T120参考图片

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IKW40T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
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库存:3,640(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥71.4612
71.4612
10
¥64.6247
646.247
25
¥61.5511
1538.7775
100
¥53.4829
5348.29
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40T120FKSA1 IKW4T12XK SP000013940
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW40T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9Z10PBF
1:¥23.8995
10:¥19.8202
100:¥16.2946
250:¥15.8313
参考库存:42279
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR NPN 32V 2A
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
2,000:¥1.3786
参考库存:42282
晶体管
MOSFET 20V N channel Mosfet
1:¥4.1471
10:¥3.5369
100:¥2.6329
500:¥1.9323
2,500:¥1.3334
5,000:查看
参考库存:42285
晶体管
MOSFET 30V, 73A, Single N- Channel Power MOSFET
1:¥5.4579
10:¥4.6104
100:¥3.4465
500:¥2.5312
2,500:¥1.7289
5,000:查看
参考库存:42288
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL DIGITAL NPN/NPN INPUT RESISTOR
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:42291
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