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晶体管
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FCA36N60NF

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库存：2,952(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.8614
52.8614
10
¥47.799
477.99
25
¥45.5616
1139.04
100
¥39.4935
3949.35
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
34.9 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
86 nC
Pd-功率耗散
312 W
配置
Single
商标名
SupreMOS FRFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FCA36N60NF
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
39 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，FCA36N60NF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM2301ACX RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V P Channel Mosfet
15,000:¥0.59212
24,000:¥0.5537
45,000:¥0.52206
参考库存:28138
APTGL475U120D4G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,252.0287
5:¥1,221.1458
10:¥1,191.7884
25:¥1,148.4529
参考库存:28141
2N5192 SL H
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
1,300:¥4.5539
2,600:¥4.0454
10,400:¥3.8872
参考库存:28144
AUIRLS3034
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
3,000:¥20.0575
参考库存:28147
APTGT100DU170TG
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥747.1899
参考库存:28150
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