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FF150R12RT4

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1
¥480.3291
480.3291
5
¥469.5715
2347.8575
10
¥451.209
4512.09
25
¥436.6772
10916.93
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
790 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF150R12RT4HOSA1 SP000624908
商品其它信息
优势价格，FF150R12RT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM6P47NU,LF
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250:¥864.9133
参考库存:31768
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