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晶体管
FQP2P40-F080参考图片

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FQP2P40-F080

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库存:3,340(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6501
76.501
100
¥5.876
587.6
500
¥5.198
2599
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
- 10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
501 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP2P40
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.42 S
开发套件
-
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
75 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
FQP2P40_F080
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP2P40-F080的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET P-Channel 30V 50mA 300mW 2mW
569:¥11.9102
1,000:¥9.831
2,500:¥8.8366
10,000:¥8.4524
参考库存:17481
晶体管
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 15 A, 410 V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥5.1302
2,500:¥5.1302
参考库存:17484
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
2,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:17487
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥51.1777
10:¥46.2622
25:¥44.1039
100:¥38.2618
参考库存:3390
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 232A 1.5MO
1:¥26.5098
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
1,500:¥13.2888
4,500:查看
参考库存:4792
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