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晶体管
MJE5731G参考图片

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MJE5731G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 350V 40W PNP
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库存：4,907(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥7.006
70.06
100
¥5.3901
539.01
500
¥4.7573
2378.65
1,000
¥3.7629
3762.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
集电极—基极电压 VCBO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
10 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE5731
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
封装
Tube
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
40 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，MJE5731G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP610DL-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥1.6159
10:¥1.11418
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
参考库存:13184
TK12A50E,S4X(S
Toshiba
晶体管
MOSFET POWER MOSFET N CH 250V
1:¥15.2098
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:18396
AIHD06N60RFATMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.3733
500:¥7.3676
2,500:¥5.6839
5,000:查看
参考库存:18399
DMN2058U-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
10,000:¥0.53788
20,000:查看
参考库存:14202
DMHC4035LSDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:6704
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