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晶体管
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BDV64BG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power PNP
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数量单价合计
1
¥13.8312
13.8312
10
¥11.752
117.52
100
¥9.379
937.9
500
¥8.2264
4113.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
10 A
最大集电极截止电流
400 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BDV64B
封装
Tube
高度
12.2 mm
长度
15.2 mm
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,BDV64BG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:21959
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
3,000:¥1.5029
9,000:¥1.4012
24,000:¥1.3334
45,000:¥1.2995
参考库存:21962
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
10,000:¥1.3334
参考库存:21965
晶体管
MOSFET 600V, 3 N-Channel FET
1:¥9.4468
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
10,000:查看
参考库存:21968
晶体管
达林顿晶体管 NPN/ 110V/ 1.5A
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
4,000:¥1.02152
参考库存:5353
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