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晶体管
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APT26F120B2

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power FREDFET - MOS8
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库存：2,939(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥202.4734
202.4734
5
¥193.4108
967.054
10
¥187.3314
1873.314
25
¥172.1216
4303.04
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
T-MAX-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
480 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
300 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.135 kW
通道模式
Enhancement
商标名
POWER MOS 8
封装
Tube
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
31 S
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
170 ns
典型接通延迟时间
50 ns
商品其它信息
优势价格，APT26F120B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IFN363
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -40V JFET -0.3 1.0V Igss 1.0V Idss
71:¥101.2028
100:¥93.1346
250:¥84.9082
500:¥79.3712
参考库存:28628
NVMFS5C406NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
1,500:¥9.9101
4,500:¥9.5259
9,000:¥9.1417
参考库存:28631
APTGLQ40HR120CT3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥570.537
5:¥552.7056
10:¥535.959
25:¥511.7544
参考库存:28634
STWA68N60M6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥74.9981
10:¥67.7774
25:¥64.6247
100:¥56.0932
参考库存:2410
RDD020N60TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET MOSFET
2,500:¥3.9889
10,000:¥3.842
参考库存:28639
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